STB6N80K5 دیتاشیت

ST(B,D,I,P)6N80K5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(B,D,I,P)6N80K5
حجم فایل 1316.321 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 26

دانلود دیتاشیت ST(B,D,I,P)6N80K5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: SuperMESH5™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): 30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB6N
  • detail: N-Channel 800V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK